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  • MDD310-16N1BIXYS二極管模塊MDD310-16N1B

    IXYS二極管模塊MDD310-16N1B

    IXYS二極管模塊MDD310-16N1B;北京京誠宏泰科技有限公司專業(yè)銷售MDD310-16N1B;西門子;ABB;偉肯變頻器大功率二極管模塊

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  • MDD312-16N1BIXYS二極管模塊MDD312-16N1B

    IXYS二極管模塊MDD312-16N1B

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  • MDD312-18N1IXYS二極管模塊MDD312-18N1

    IXYS二極管模塊MDD312-18N1

    整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷陌雽w器件。通常它包含一個PN結(jié),有陽極和陰極兩個端子。P區(qū)的載流子是空穴,N區(qū)的載流子是電子,在P區(qū)和N區(qū)間形成一定的位壘。外加使P區(qū)相對N區(qū)為正的電壓時,位壘降低,位壘兩側(cè)附近產(chǎn)生儲存載流子,能通過大電流,具有低的電壓降(典型值為0.7V),稱為正向?qū)顟B(tài)。若加相反的電壓,使位壘增加,

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  • MDD255-20N1IXYS二極管模塊MDD255-20N1

    IXYS二極管模塊MDD255-20N1

    整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷陌雽w器件。通常它包含一個PN結(jié),有陽極和陰極兩個端子。P區(qū)的載流子是空穴,N區(qū)的載流子是電子,在P區(qū)和N區(qū)間形成一定的位壘。外加使P區(qū)相對N區(qū)為正的電壓時,位壘降低,位壘兩側(cè)附近產(chǎn)生儲存載流子,能通過大電流,具有低的電壓降(典型值為0.7V),稱為正向?qū)顟B(tài)。若加相反的電壓,使位壘增加,

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  • MDD72-18N1B艾賽斯IXYS二極管MDD72-18N1B

    艾賽斯IXYS二極管MDD72-18N1B

    整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷陌雽w器件。通常它包含一個PN結(jié),有陽極和陰極兩個端子。其結(jié)構(gòu)如圖1所示。P區(qū)的載流子是空穴,N區(qū)的載流子是電子,在P區(qū)和N區(qū)間形成一定的位壘。外加使P區(qū)相對N區(qū)為正的電壓時,位壘降低,位壘兩側(cè)附近產(chǎn)生儲存載流子,能通過大電流,具有低的電壓降(典型值為0.7V),稱為正向?qū)顟B(tài)。若加相反的電壓,使位壘增加,

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  • MDD44-18N1B艾賽斯IXYS二極管模塊MDD44-18N1B

    艾賽斯IXYS二極管模塊MDD44-18N1B

    整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷陌雽w器件。通常它包含一個PN結(jié),有陽極和陰極兩個端子。其結(jié)構(gòu)如圖1所示。P區(qū)的載流子是空穴,N區(qū)的載流子是電子,在P區(qū)和N區(qū)間形成一定的位壘。外加使P區(qū)相對N區(qū)為正的電壓時,位壘降低,位壘兩側(cè)附近產(chǎn)生儲存載流子,能通過大電流,具有低的電壓降(典型值為0.7V),稱為正向?qū)顟B(tài)。若加相反的電壓,使位壘增加,

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  • MDD26-16N1BIXYS艾賽斯二極管MDD26-16N1B

    IXYS艾賽斯二極管MDD26-16N1B

    整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷陌雽w器件。通常它包含一個PN結(jié),有陽極和陰極兩個端子。其結(jié)構(gòu)如圖1所示。P區(qū)的載流子是空穴,N區(qū)的載流子是電子,在P區(qū)和N區(qū)間形成一定的位壘。外加使P區(qū)相對N區(qū)為正的電壓時,位壘降低,位壘兩側(cè)附近產(chǎn)生儲存載流子,能通過大電流,具有低的電壓降(典型值為0.7V),稱為正向?qū)顟B(tài)。若加相反的電壓,使位壘增加,

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